季报：台积电08年Q1业绩“继65nm后45nm也势头良好”

台积电（TSMC）2008年4月30日在东京举行新闻发布会，公布了08年第一季度的业绩等。

2008年第一季度的销售额比上年同期增长34.8％，比上年度减少6.8％，为874.8亿台币，营业利润率比上年同期增长5.8个百分点，比上年度减少5.9个百分点，为33.3％。销售额增长尤为显著的是65nm工艺的产品。该工艺的销售额自2007年第一季度开始，经过5个季度增至约26倍，占08年第一季度销售额整体的15％。估计已开始量产的45nm工艺将与65nm工艺以几乎相同的速度增长。预计08年下半年45nm及40nm工艺在销售额中所占比例将达到数个百分点。目前许多用户询价尖端工艺，因此该公司已将设备投资提前。

该公司将以200mm晶圆以下为主的铝工艺定位于“Mainstream”，而将使用300mm晶圆的铜工艺定位于“Advanced”，并使两者成为各自独立的业务部门。Mainstream以微细化、高耐压、模拟、MEMS、闪存混载、DRAM混载及CMOS图像传感器等工艺的多样性为卖点。其中，MEMS从08年开始正式提供，今后有望实现增长。另外，Mainstream的供货业绩在过去20年内（按200mm晶圆换算）合计达到3400万片。

Advanced方面，08年3月开始提供服务的40nm工艺是目前的最尖端工艺。调查结果显示，用户对技术要求的先后顺序是“低价格”、“低待机功耗”、“低有源功率”、“高速”。基于这些考虑，40nm工艺将从工艺和设计两个方面下功夫，降低功耗。32nm工艺目前正在开发之中，将于09年第四季度开始少量生产。此前多从低功耗版的“LP”工艺开始生产，而32nm工艺准备从支持高端用户的标准工艺“G”工艺入手。

此外，关于尔必达内存将涉足日本代工市场一事，该公司表示“我们也比较感兴趣，但尚未开展服务，因此目前不便发表意见”（日本台积电）。（日经BP社）